場效應管檢測費用

免費初檢。因檢測項目以及實驗復雜程度不同，需聯(lián)系工程師確定后進行報價。

檢測時間：一般3-10個工作日（特殊樣品除外）。有的項目可加急1.5天出報告。

場效應管檢測報告用途

報告類型：電子報告、紙質報告(中文報告、英文報告、中英文報告)。

檢測用途： 電商平臺入駐；商超賣場入駐；產(chǎn)品質量改進；產(chǎn)品認證；出口通關檢驗等

檢測樣品

金屬氧化物半導體場效應管、柵極耦合場效應管、金屬-半導體場效應管、硅基場效應管、碳化硅場效應管、N溝道型場效應管、P溝道型場效應管、雙極溝道型場效應管、增強型場效應管、耗盡型場效應管、晶體管封裝形式場效應管、芯片級封裝形式場效應管、功率MOSFET、小信號MOSFET、CMOS等。

檢測項目

導通電阻檢測、漏電流檢測、絕緣電阻檢測、放大系數(shù)檢測、噪聲系數(shù)檢測、頻率響應檢測、電壓放大系數(shù)檢測、電流放大系數(shù)檢測、靜態(tài)工作點檢測、反向擊穿電壓檢測、柵源漏電流檢測、輸入電容檢測、輸出電容檢測、轉移電導檢測、穩(wěn)態(tài)輸出電壓波形檢測、穩(wěn)態(tài)輸出電流波形檢測、動態(tài)特性檢測、溫度特性檢測、工作壽命檢測、引腳間絕緣檢測等。

檢測周期

參考標準規(guī)范

NF C80-203-2010 半導體器件.金屬氧化物半導體場效應管(MOSFETs)移動離子試驗

BS QC 720104-1997 電子元件的質量評定協(xié)調體系.半導體裝置.光電子裝置.光纖維系統(tǒng)或分系統(tǒng)用帶/不帶引線的場效應管管腳組件額空白詳細規(guī)格

DLA SMD-5962-00521 REV D-2003 單片硅輻射硬化數(shù)字非線性微電路互補開關場效應管驅動器

IEC 62417:2010 半導體器件.金屬氧化物半導體場效應管(MOSFETs)移動離子試驗

JEDEC JEP69-B-1973 場效應管用優(yōu)先引腳外形

IEC 62373:2006 金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的基本溫度穩(wěn)定性試驗

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