光耦合器檢測報告項目和標準介紹費用
免費初檢。因檢測項目以及實驗復雜程度不同,需聯系工程師確定后進行報價。
檢測時間:一般3-10個工作日(特殊樣品除外)。有的項目可加急1.5天出報告。
光耦合器檢測報告項目和標準介紹報告用途
報告類型:電子報告、紙質報告(中文報告、英文報告、中英文報告)。
檢測用途: 電商平臺入駐;商超賣場入駐;產品質量改進;產品認證;出口通關檢驗等
光耦合器檢測需要根據標準內指定項目、方法進行,GB國標、行標、外標、企標、地方標準。光耦合器檢測樣品檢測報告結果會與標準中要求對比,在報告中體現產品質量。第三方檢測機構可提供光耦合器檢測報告辦理,工程師一對一服務,根據需求選擇對應檢測標準及項目,制定檢測方案后安排實驗室寄樣檢測。光耦合器檢測周期3-15個工作日,可加急(特殊項目除外),歡迎咨詢。
百檢第三方檢測機構目前與全國多家實驗室合作,為您的企業提供相關產品檢測相關服務。工程師一對一服務,合作實驗室擁有CMA、CNAS、CAL等資質,檢測報告真實有效。
光耦合器檢測項目:
檢測項目:
反向擊穿電壓(二*管)、反向電流(二*管)、正向電壓(輸入二*管)、正向電流(二*管)、輸出截止電流、集電*-發射*反向擊穿電壓、集電*-發射*飽和電壓、X射線檢查、內部氣體成份分析、內部目檢、剪切強度、外部目檢、密封、掃描電子顯微鏡(SEM)檢查、粒子碰撞噪聲檢測(PIND)、鍵合強度、掃描電子顯微鏡(SEM)檢查、電流傳輸比、集電*-發射*擊穿電壓、正向電壓、邏輯低電壓水平、反向電流、發射*-基*擊穿電壓、發射*-集電*擊穿電壓、集電*-發射*截止電流、集電*-基*擊穿電壓、集電*-基*截止電流、粒子碰撞噪聲檢測(PIND)、外觀檢查、高溫試驗、回波損耗、高低溫循環試驗、低溫試驗、正向壓降、反向截止電流、飽和電壓、反向擊穿電壓
光耦合器檢測標準:
檢測標準:
1、SJ2215.2-1982 半導體光耦合器(二*管)正向壓降的檢測方法SJ 2215.2-1982
2、GB/T 15651.3-2003 半導體分立器件和集成電路第5-3部分:光電子器件檢測方法 5.1
3、GJB 4027A-2006 **電子元器件破壞性物理分析方法 1201
4、GB/T 4587-1994 半導體分立器件和集成電路第7部分:雙*型晶體管 GB/T 4587-1994
5、GB 12565-1990 半導體器件光電子器件分規范 表D1
6、SJ2215.8-1982 半導體光耦合器輸出飽和壓降的檢測方法SJ 2215.8-1982
7、GJB4027A-2006 **電子元器件破壞性物理分析 工作項目1201第2.7條
8、GB 12565-1990 半導體器件光電子器件分規范 GB 12565-1990
9、YD/T 1117-2001 全光纖型分支器件技術條件 YD/T 1117-2001
10、GB 12565-1990 半導體器件光電子器件分規范 附錄D表D1
11、GJB 128A-97 半導體分立器件試驗方法 方法 2076
12、SJ2215.9-1982 半導體光耦合器(三*管)反向截止電流的檢測方法 SJ 2215.9-1982
13、GB/T 6571-1995 半導體器件分立器件第3部分:信號(包括開關)和調整二*管 第IV第1節1
14、SJ/T 2215-2015 半導體光耦合器檢測方法 SJ/T2215-2015
15、GB 12565-1990 半導體器件光電子器件分規范 GB 12565-1990
16、GJB 548B-2005 微電子器件試驗方法和程序 方法 2018.1
17、GB/T 15651.3-2003 半導體分立器件和集成電路第5-3部分:光電子器件檢測方法 GB/T 15651.3-2003
18、SJ2215.7-1982 半導體光耦合器集電*-發射*反向擊穿電壓的檢測方法SJ 2215.7-1982
19、SJ2215.4-1982 半導體光耦合器(二*管)反向電流的檢測方法 SJ 2215.4-1982
20、YD/T1117-2001 全光纖型分支器件技術條件
百檢檢測報告辦理流程:
1、通過網站聯系方式與客服進行溝通
2、確認需求后,推薦并制訂方案,隨后進行報價
3、確認方案及報價后,安排樣品郵寄至指定實驗室進行檢測
4、樣品寄送到實驗室后,等待實驗室檢測結果
5、實驗室檢測完畢后出具相應報告,如需紙質報告則安排郵寄
在辦理期間如需加急,需要及時溝通并安排加急服務
檢測報告有什么用?
1、 入駐天貓、京東等電商平臺。
2、 進入大型超市或賣場。
3、 招投標。
4、 工程驗收。
5、 宣傳用報告。
6、 供應商要求。
檢測項目及檢測標準相關信息就介紹到這里。第三方檢測機構期待與您的合作,詳情請聯系百檢客服。
溫馨提示:以上內容僅供參考,更多檢測相關信息請咨詢公司官方客服。